AMD pokazuje tehnologiju “naslaganog” memorijskog čipa
AMD je predstavio „Vertikalnu L3 Cache” tehnologiju (3D V-memoriju) u kojoj novi Ryzen čipovi imaju 64 MB SRAM-a položena na arhitektonskoj razini CCD matrice, odnosno jezgre najniže razine apstrakcije .
Na gornjoj je slici nova predmemorija “64 MB L3”, a ona će komunicirati s procesorskim jezgrama kroz TSV unutarnji sloj veze.
Zahvaljujući ovom aranžmanu, AMD može povećati L3 predmemoriju na čipu na 64 MB. Ako ima jedan CPU sa 16 jezgri, ukupna predmemorija L3 iznosi 192 MB. Ovo rješenje također omogućuje uštedu prostora na bazi čipa i korištenje tog prostora za drugu komponentu.
AMD kaže da trenutno L3 cache čipovi koriste samo jedan sloj, ali temeljna arhitektura već podržava ovu tehnologiju. Korištenje 3D V-predmemorije također ne zahtijeva nikakvu optimizaciju u softveru i ne generira više topline nego danas. Gore spomenutu tehnologiju zapravo je razvio TSMC, a AMD je prva tvrtka koja ju je počela koristiti za svoje čipove.
Izvršna direktorica AMD-a, izjavila je da gore navedena promjena je pokazala prilikom testiranja, Ryzen 9 5900X prototipa čipa, povećanje performanse za 12 % prilikom pokretanja igre Gear of War 5.
Čipovi koji koriste Vertical L3 Cache prvo će biti u high-end segmentu, a očekuje se službeno predstavljanje kasnije ove godine, odmah primjenjivo na linije čipova Ryzen Zen 3.
