Samsung je stvorio 512 GB RAM modul

Unatoč problemima sproizvodnjom računalnih komponenata, proizvođači nastavljaju predstavljati najnovija dostignuća. Tako je, na primjer, Samsung pokazao DDR5 RAM modul od 512 GB.

Kako bi stvorili ovaj modul, Samsung je koristio TSV (Via Through Silicon) tehnologiju poznatu iz 256 GB DDR4 modula, i HKMG (High-K Metal) materijal kao zamjenu tipičnog izolacijskog materijala. To je omogućilo da doslovno slože osam slojeva DRAM čipova od po 16 GB i zapravo postignu impresivni kapacitet od 512 GB po stopi od 32 modula po traci.

Takva memorija, naravno, nije za obična kućna računala, već rješenje za podatkovne centre i superračunala.
Trenutno su moduli u fazi proizvodnje uzoraka koje će poslati partnerima prije početka masovne proizvodnje. Zapravo je Samsung osigurao kompatibilnost s nadolazećim Intel Xeon skalabilnim procesorima “Sapphire Rapids” .