Samsungov 3nm čip GAA proces je iza ugla

Samsung Electronics objavio je da su spremni u drugoj polovici ove godine za pokretanje proizvodnje čipova na gate-all-around (GAA) arhitekturi za 3-nm procesne čvorove. Očekuje se da će Samsungova 3nm procesna GAA tehnologija biti dostupna u dvije varijante: 3GAAE i 3GAAP. U usporedbi s tehnologijom 5nm  fin field effect tranzistora (FinFET), ova nova procesna tehnologija trebala bi pružiti bolje elektrostatičke karakteristike i osigurati prednosti u gustoći tranzistora u odnosu  tehnologiju u 3-nm čvoru gdje je TSMC u znatnoj prednosti.

PROČITAJTE JOŠ

Qualcomm nije zadovoljan Samsungom u proizvodnji čipova

Samsung objavio LPDDR5X DRAM

Međutim, Samsungov prvi GAA procesni čvor koristi multi-bridge-channel FET (MBCFET) što će omogućiti do 35 posto smanjenja površine, 30 posto veće performanse i 50 posto manju potrošnju energije od 5-nm procesa. Također u usporedbi sa 7nm proizvodnim procesom, učinkovitost logičkog područja 3nm GAA povećana je za više od 45 posto, a performanse poboljšane za oko 35 posto. Naravno, ove usporedbe su je još uvijek samo teoretske i malo začinjene samohvalom.

I za kraj, kako bi bolje razumjeli Samsungovu gate-all-around (GAA) arhitekturu pogledajte infografiku u nastavku…..

****** Hvala što nas pratite nas na društvenim mrežama i dijelite novosti, vijesti i recenzije.