Novosti - Veljača 2005.

tehnologija trebala bi zamijeniti današnji DDR2 negdje sljedeće godine sa clock brzinama

od oko 800 MHz. Prototipni čip ima 512 Mbit i u mogućnosti je procesirati podatke

brzinom oko 1066 Mbit po sekundi dok će u budućnosti sigurno omogućiti gigabitno

procesiranje podataka za DDR memorije. Napon je kod DDR3 tehnologije manji i iznosi

1.5 volti umjesto sadašnjih 1.8 volti što smanjuje potrošnju energije. DDR3 će u

budućnosti sigurno omogućiti gigabitno procesiranje podataka. Tehnologija izrade DDR3 je

za sad 80 nm i vjerojano će biti komercijalno dostupna za laptope, stolna i server računala

na početku 2006 godine. Brzine modula će biti od 800Mbit do 1066 Mbit (533 MHz) za top

verzije. Sadašnja tehnologija limitira proizvođača da skalira DDR3, ali uskoro će i brzine od

1333 MHz biti prošlost. Uz sve to Samsung ima i još jednu gigabit memorijsku produkciju

u obliku Rambus XDR memorije koja će isto tako napraviti sigurno dosta prašine pogotovo

sa Cell procesorima.

tehnologijom . Modeli brojeva 2600+, 2800+ i 3000+ izrađeni su za soket 754

infrastrukturu, imaju integrirani PC3200 memorijski kontroler i markirani su kao

SDA3000AIO2BA, SDA2800AIO3BA i SDA2600AIO2BA što znači da su čipovi napravljeni

90nm SOI tehnologijom uz potreban napon od 1.4 volta. Procesori imaju 128KB ili 256KB

L2 cache memorije ovisno o modelu. Markiranja su slična AMD Sempron 3100+ procesoru

napravljenog isto u 90nm tehnologiji. Kodno ime AMD-ovog 90nm Sempron procesora je

još uvijek nepoznato, ali prema AMD dokumentima 3100+ ima skoro iste revizije kao i

90nm Athlon 64 procesor kodnog imena Winchester dok je razlika manja L2 memorija i

nedostatak 64-bitne mogućnosti. Prema podacima AMD Sempron procesor 3000+ operira

na 1.8 GHz i ima 128 L2 cache memorije, 2800+ na 1.6GHz i ima 265 L2 cache memorije

dok 2600+ funkcionira na 1.6GHz i ima 128 L2 memorije. Svi čipovi su za PGA754 form-

factor i imaju TDP vrijednost od 62W.